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欧姆龙发布全球首款具有“ T型电路结构”的MOS FET继电器G3VM-21MT

G3VM-21MT 实现漏电流极小化的MOS FET继电器模块

  • 采用小型封装,有助于节省印刷电路板上的封装空间
  • 主线断开、子线闭合时的漏电:1pA(最大) VOFF =20V
  • 接点构成:1a+T开关功能

欧姆龙公司(总部:日本京都CEO:吉人山田)将在全球范围发布其新的MOS FET * 1个继电器模块 “G3VM-21MT”关于2019年12月2日,该产品将成为世界第一电子元件* 2至采用“ T型电路结构” * 3T型电路结构包括紧凑的尺寸和更长的使用寿命的固态继电器,这些固态继电器无需物理接触即可输出信号,因此继电器模块将泄漏电流* 4 降至最低,这是半导体测试设备长期以来一直存在的问题。G3VM-21MT可以进行高精度测量并提高电子元件的生产率。

G3VM-21MT可以在主要用于半导体器件电气测试的测试设备中切换测量信号。除了体积小,使用寿命长的MOS FET继电器功能外,G3VM-21MT是世界上第一个具有“ T型电路结构”的MOS FET继电器模块,该模块由三个MOS FET继电器组成,有助于将漏电流降至最低水平,而又不影响测试设备的检查精度,同时可以进行高精度测量并降低测试设备的维护频率。

在数字时代中,电子组件的功能日益多样化,产量不断增长,对更高性能的半导体测试设备的需求日益增长。机械簧片继电器* 5,已用于半导体测试设备中进行高精度测量的零件,其泄漏电流极低,但由于需要定期更换,因此可能需要每月定期更换几次,这可能是由于导致接触的磨损和磨损影响测量精度。此类维护工作可能会严重影响生产效率,因此长期以来一直希望采用固态继电器,因为其使用寿命更长。迄今为止,由于技术上的困难,MOS FET继电器被认为不适合用于精确的电气测试,以降低与其特性有关的泄漏电流,并且尚未用于要求高可靠性的测试设备中。

为了满足这些需求,通过使用欧姆龙多年积累的电子元器件技术,我们通过采用“ T型电路结构”成功地将继电器模块产品商业化,并显着降低了泄漏电流小于或等于1pA(万亿分之一)安培的一部分)。将固态继电器中的泄漏电流减小到尽可能接近零的挑战消除了泄漏电流问题,并提高了测试设备的可靠性。此外,通过将长寿命的MOS FET继电器集成到继电器模块中,可以缩短维修停机时间,这对于机械继电器一直是一个长期的挑战。随着G3VM-21MT的发布,解决了这一难题。

c1202_1.jpgG3VM-21MT

(* 1)MOS FET =金属氧化物半导体场效应晶体管(一种场效应晶体管)。

(* 2)根据我们自己的研究,截止到2019年4月,世界上第一个采用“ T型电路结构”的继电器模块将多个不同的MOS FET继电器组合在一起。

(* 3)电子装置中通常使用的电路结构,例如衰减器,以使泄漏电流最小。

(* 4)电路内部发生的一种情况,电流通过绝缘层泄漏,否则应阻止电流通过。

(* 5)通过缠绕在玻璃管上的线圈的磁通量来切换(断开和闭合)位于玻璃管中的两个带有触点的簧片。

应用领域

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特征

  1. 通过将泄漏电流减小到1pA或更低来提高设备的可靠性
    泄漏电流一直是半导体继电器的长期缺点,G3VM-21MT通过将泄漏最小化到1pA或更低来解决该问题。
    G3VM-21MT成功地实现了低于或等于0.1pA的实际性能,同时最大程度地减少了对应用测量精度的影响。

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  2. 使用寿命更长,维护频率大大降低
    G3VM-21MT继电器模块的输出电路由不使用物理触点的半导体MOS FET继电器组成,因此无需对触点进行维护以防磨损,因为不会产生电弧放电打开和关闭电路。

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  3. 缩小的安装空间-通过节省空间和节省
    布线的方式实现高密度安装 G3VM-21MT通过将输入和输出电路的复杂接线图集成到内部模块中,实现了5mm×3.75mm×2.7mm的紧凑尺寸,最终简化了PCB布线的应用程序。

 

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